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PBSS4230T,215

PBSS4230T,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

TO-236AB NPN 30V 2A

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 2 A 230MHz 480 mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
NEXPERIA PBSS4230T - SMALL SIGNA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PBSS4230T,215  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE


Win Source:
TRANS NPN 30V 2A SOT23


PBSS4230T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 350 @100mA, 2V

额定功率Max 480 mW

直流电流增益hFE 470

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBSS4230T,215引脚图与封装图
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在线购买PBSS4230T,215
型号 制造商 描述 购买
PBSS4230T,215 NXP 恩智浦 TO-236AB NPN 30V 2A 搜索库存
替代型号PBSS4230T,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4230T,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB NPN 480mW

当前型号

TO-236AB NPN 30V 2A

当前型号

型号: 2SD2671TL

品牌: 罗姆半导体

封装: TSMT NPN 30V 2A 1W

功能相似

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 280 MHz, 500 mW, 2 A, 270 hFE

PBSS4230T,215和2SD2671TL的区别

型号: 2SC5916TLQ

品牌: 罗姆半导体

封装: SC-96 NPN 30V 2A

功能相似

TSMT NPN 30V 2A

PBSS4230T,215和2SC5916TLQ的区别