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PBHV8540T,215

PBHV8540T,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV8540T,215  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

The is a 0.5A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package.

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High voltage
.
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
.
High collector current capability IC and ICM
.
High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
.
PNP complement is PBHV9040T
.
W4 Marking code
PBHV8540T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10 @300mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV8540T,215引脚图与封装图
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在线购买PBHV8540T,215
型号 制造商 描述 购买
PBHV8540T,215 NXP 恩智浦 NXP  PBHV8540T,215  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE 搜索库存
替代型号PBHV8540T,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBHV8540T,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN

当前型号

NXP  PBHV8540T,215  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

当前型号

型号: PBHV8540T

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN

功能相似

NXP  PBHV8540T  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

PBHV8540T,215和PBHV8540T的区别

型号: BZX79-C6V2

品牌: 恩智浦

封装: DO-35

功能相似

NXP  BZX79-C6V2  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

PBHV8540T,215和BZX79-C6V2的区别