PBSS5230T,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS5230T,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 30V 2A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS5230T,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO23-6AB PNP | 当前型号 | TO-236AB PNP 30V 2A | 当前型号 |