PBSS4230PANP,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS4230PANP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
额定功率Max 510 mW
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DFN2020-6
外形尺寸
封装 DFN2020-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS4230PANP,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PBSS4230PANP,115 | NXP 恩智浦 | DFN NPN+PNP 30V 2A | 搜索库存 |