PDTB123ET,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTB123ET,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 500mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTB123ET,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236 PNP | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 500mA | 当前型号 | |
型号: PDTB123YT,215 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 功能相似 | Nexperia PDTB123YT,215 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装 | PDTB123ET,215和PDTB123YT,215的区别 |