PESD5V0L4UW,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD5V0L4UW,115中文资料参数规格
技术参数
工作电压 5 V
电容 19 pF
击穿电压 6.8 V
耗散功率 30 W
钳位电压 13 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 30 W
最小反向击穿电压 6.46 V
击穿电压 6.46 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-665
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-665
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PESD5V0L4UW,115引脚图与封装图
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在线购买PESD5V0L4UW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD5V0L4UW,115 | NXP 恩智浦 | PESDxL4UW 系列 13 V 19 pF 低电容 四通道 ESD保护二极管阵列 | 搜索库存 |
替代型号PESD5V0L4UW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD5V0L4UW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-665 | 当前型号 | PESDxL4UW 系列 13 V 19 pF 低电容 四通道 ESD保护二极管阵列 | 当前型号 |
| 型号： PESD5V0L4UW 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NXP PESD5V0L4UW 静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-665, 5 引脚 | PESD5V0L4UW,115和PESD5V0L4UW的区别 |
| 型号： NZQA6V8AXV5T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-553 6.2V 100W | 功能相似 | ESD 保护，具有低钳位电压### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | PESD5V0L4UW,115和NZQA6V8AXV5T1G的区别 |