PESD3V3S1UB,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD3V3S1UB,115中文资料参数规格
技术参数
电容 300 pF
击穿电压 5.6 V
耗散功率 330 W
钳位电压 20 V
测试电流 5 mA
最大反向击穿电压 6 V
脉冲峰值功率 330 W
最小反向击穿电压 5.2 V
击穿电压 5.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.65 mm
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PESD3V3S1UB,115引脚图与封装图
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在线购买PESD3V3S1UB,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD3V3S1UB,115 | NXP 恩智浦 | PESDxS1UB 系列 20 V 300 pF 表面贴装 ESD 保护 二极管 - SOD-523 | 搜索库存 |
替代型号PESD3V3S1UB,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD3V3S1UB,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-79 | 当前型号 | PESDxS1UB 系列 20 V 300 pF 表面贴装 ESD 保护 二极管 - SOD-523 | 当前型号 |
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