PEMH1,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PEMH1,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PEMH1,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PEMH1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMH1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 NPN 300mW | 当前型号 | SOT-666 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PEMH1 品牌： 恩智浦 封装： SOT-666 NPN | 类似代替 | NPN / NPN电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ | PEMH1,115和PEMH1的区别 |
| 型号： NSBC124EDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k | PEMH1,115和NSBC124EDXV6T1G的区别 |