PUMH16,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMH16,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMH16,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMH16,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMH16,115 | NXP 恩智浦 | PUMH16 系列 50 V 100 mA NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMH16,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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