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PIMN31,115

PIMN31,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PIMN31,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN, PNP

耗散功率 420 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 420 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 420 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PIMN31,115引脚图与封装图
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在线购买PIMN31,115
型号 制造商 描述 购买
PIMN31,115 NXP 恩智浦 PIMN31 系列 50 V 500 mA NPN/NPN 双 配备电阻 晶体管 - SC-74 搜索库存
替代型号PIMN31,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PIMN31,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-74 NPN 420mW

当前型号

PIMN31 系列 50 V 500 mA NPN/NPN 双 配备电阻 晶体管 - SC-74

当前型号

型号: PIMN31

品牌: 恩智浦

封装: SOT-457 NPN

功能相似

NXP  PIMN31  双极晶体管阵列, 双NPN, 50 V, 420 mW, 500 mA, 70 hFE, SOT-457

PIMN31,115和PIMN31的区别