PMBT6428,215

NXP 恩智浦分立器件

TO-236AB NPN 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 700MHz 250mW Surface Mount TO-236AB

得捷:
TRANS NPN 50V 100MA SOT23

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# NXP PMBT6428,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 700 MHz, 250 mW, 100 mA, 250 hFE

Win Source:
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23

PMBT6428,215中文资料参数规格

技术参数

频率 700 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMBT6428,215引脚图与封装图

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在线购买PMBT6428,215

型号	制造商	描述	购买
PMBT6428,215	NXP 恩智浦	TO-236AB NPN 50V 0.1A	搜索库存

替代型号PMBT6428,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PMBT6428,215 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-236-3 NPN 0.25W	当前型号	TO-236AB NPN 50V 0.1A	当前型号
型号： PMBT6428 品牌：恩智浦封装：	类似代替	PMBT6428 NPN三极管 60V 100mA/0.1A 100Mhz~700Mhz 250~660 0.2V~0.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 W1K 放大器	PMBT6428,215和PMBT6428的区别
型号： MMBT6428LT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1G 双极晶体管	PMBT6428,215和MMBT6428LT1G的区别
型号： MMBT6428 品牌：飞兆/仙童封装： SOT-23 NPN 50V 500mA 350mW	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT6428 单晶体管双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE	PMBT6428,215和MMBT6428的区别