PMP4501V,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMP4501V,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMP4501V,115引脚图与封装图
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在线购买PMP4501V,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMP4501V,115 | NXP 恩智浦 | 小信号 NPN 晶体管，NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PMP4501V,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMP4501V,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 NPN | 当前型号 | 小信号 NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PMP4501V 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | NPN / NPN匹配的双晶体管 NPN/NPN matched double transistors | PMP4501V,115和PMP4501V的区别 |