PMV213SN,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PMV213SN,215中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.213 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.90 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 330pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMV213SN,215引脚图与封装图
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在线购买PMV213SN,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMV213SN,215 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PMV213SN,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMV213SN,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 N-Channel 100V 1.9A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PMV213SN 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 100V 1.9A | 功能相似 | NXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V | PMV213SN,215和PMV213SN的区别 |