PSMN2R0-30PL,127
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN2R0-30PL,127中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 211 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 6810pF @12VVds
额定功率Max 211 W
下降时间 59 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 211W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN2R0-30PL,127引脚图与封装图
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在线购买PSMN2R0-30PL,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN2R0-30PL,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 搜索库存 |
替代型号PSMN2R0-30PL,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN2R0-30PL,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 当前型号 |
| 型号： STP85N3LH5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 30V 40A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V | PSMN2R0-30PL,127和STP85N3LH5的区别 |