
漏源极电阻 0.0031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
输入电容Ciss 8300pF @25VVds
额定功率Max 230 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN004-60B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 60V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN004-60B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 60V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 75A | 当前型号 | |
型号: FDB070AN06A0 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 N-Channel 60V 80A 7mohms 3nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V | PSMN004-60B,118和FDB070AN06A0的区别 | |
型号: FDB13AN06A0 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 N-Channel 60V 62A 1.5mohms 1.35nF | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | PSMN004-60B,118和FDB13AN06A0的区别 |