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PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

D2PAK N-CH 60V 75A

N-Channel 60 V 75A Tc 230W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
* Low conduction losses due to low on-state resistance * Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# NXP  PSMN004-60B,118  MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 60 V, 3.1 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK


PSMN004-60B,118中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

输入电容Ciss 8300pF @25VVds

额定功率Max 230 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PSMN004-60B,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PSMN004-60B,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 60V 75A 搜索库存
替代型号PSMN004-60B,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PSMN004-60B,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-Channel 60V 75A

当前型号

D2PAK N-CH 60V 75A

当前型号

型号: FDB070AN06A0

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 60V 80A 7mohms 3nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V

PSMN004-60B,118和FDB070AN06A0的区别

型号: FDB13AN06A0

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 60V 62A 1.5mohms 1.35nF

功能相似

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PSMN004-60B,118和FDB13AN06A0的区别