PSMN8R2-80YS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN8R2-80YS,115中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 82.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3640pF @40VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN8R2-80YS,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN8R2-80YS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN8R2-80YS,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 80V 82A | 搜索库存 |
替代型号PSMN8R2-80YS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN8R2-80YS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 80V 82A | 当前型号 | LFPAK N-CH 80V 82A | 当前型号 |
| 型号： HAT2279H-EL-E 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK N-CH 80V 30A | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PSMN8R2-80YS,115和HAT2279H-EL-E的区别 |