PSMN013-80YS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN013-80YS,115中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 106 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2420pF @40VVds
额定功率Max 106 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 106W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN013-80YS,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN013-80YS,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |