PDTB113ET,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTB113ET,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTB113ET,215引脚图与封装图
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在线购买PDTB113ET,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB113ET,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 500mA | 搜索库存 |
替代型号PDTB113ET,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTB113ET,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： PDTB113ZT,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP | 类似代替 | NXP PDTB113ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | PDTB113ET,215和PDTB113ZT,215的区别 |
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