PDTA143ZE,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTA143ZE,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
PDTA143ZE,115引脚图与封装图
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在线购买PDTA143ZE,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA143ZE,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA143ZE,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA143ZE,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-75 PNP 150mW | 当前型号 | SC-75 PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA143ZE 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PNP电阻配备晶体管R1 = 4.7千瓦， R2 = 47千瓦 PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW | PDTA143ZE,115和PDTA143ZE的区别 |
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| 型号： DTA143EET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | 双电阻器数字 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA143ZE,115和DTA143EET1G的区别 |