PUMD2,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMD2,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMD2,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMD2,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMD2,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMD2,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMD2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 NPN | 当前型号 | NXP PUMD2,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： PUMD2 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 200mW | 完全替代 | NXP PUMD2 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | PUMD2,115和PUMD2的区别 |
| 型号： PUMD2,165 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW | 类似代替 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | PUMD2,115和PUMD2,165的区别 |
| 型号： PUMD2,125 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP | 类似代替 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | PUMD2,115和PUMD2,125的区别 |