PMD9003D
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
PMD9003D中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN, PNP
耗散功率 290 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMD9003D引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMD9003D | NXP 恩智浦 | MOSFET驱动器 MOSFET driver | 搜索库存 |
替代型号PMD9003D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMD9003D 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | MOSFET驱动器 MOSFET driver | 当前型号 |
| 型号： PMD9003D,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-74 NPN | 功能相似 | NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PMD9003D和PMD9003D,115的区别 |