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PMEG4010BEV,115

PMEG4010BEV,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMEG4010BEV,115中文资料参数规格
技术参数

正向电压 640mV @1A

热阻 80℃/W RθJL

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 10 A

正向电压Max 640mV @1A

正向电流Max 1000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

宽度 1.3 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMEG4010BEV,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMEG4010BEV,115 NXP 恩智浦 Diode Schottky 40V 1A 6Pin SOT-666 T/R 搜索库存
替代型号PMEG4010BEV,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMEG4010BEV,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT666

当前型号

Diode Schottky 40V 1A 6Pin SOT-666 T/R

当前型号

型号: CMLSH1-40

品牌: Central Semiconductor

封装:

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Schottky Diodes & Rectifiers Diode Schottyky 40V 1A HI-CURRENT LOW-VF

PMEG4010BEV,115和CMLSH1-40的区别