PMN23UN,135
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMN23UN,135中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.30 A
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 740pF @10VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457-6
外形尺寸
封装 SOT-457-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMN23UN,135引脚图与封装图
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在线购买PMN23UN,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMN23UN,135 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |
替代型号PMN23UN,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMN23UN,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-457-6 N-Channel 20V 6.3A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R | 当前型号 |
| 型号： PMN23UN,165 品牌： 恩智浦 封装： SOT-457 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R | PMN23UN,135和PMN23UN,165的区别 |
| 型号： SI3442BDV-T1-E3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 3A 90mΩ | 功能相似 | N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | PMN23UN,135和SI3442BDV-T1-E3的区别 |