PMV45EN2
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
PMV45EN2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 510 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.1A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMV45EN2引脚图与封装图
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在线购买PMV45EN2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMV45EN2 | NXP 恩智浦 | TO-236AB N-CH 30V 5.1A | 搜索库存 |
替代型号PMV45EN2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMV45EN2 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | TO-236AB N-CH 30V 5.1A | 当前型号 |
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| 型号： PMV45EN,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT23 N-Channel 30V 5.4A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | PMV45EN2和PMV45EN,215的区别 |
| 型号： PMV60EN,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23-3 N-Channel 30V 4.7A | 功能相似 | TO-236AB N-CH 30V 4.7A | PMV45EN2和PMV60EN,215的区别 |