PSMN1R5-30YLC
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 179 W
阈值电压 1.51 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 4044pF @15VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 179 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.05 mm
封装 SOT-669
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN1R5-30YLC | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,超过 100A,NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |