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PMV117EN,215

PMV117EN,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  PMV117EN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

N-Channel 30V 2.5A Tc 830mW Tc Surface Mount TO-236AB SOT23


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB


e络盟:
NXP  PMV117EN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23


PMV117EN,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.074 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

输入电容Ciss 147pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMV117EN,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMV117EN,215 NXP 恩智浦 NXP  PMV117EN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号PMV117EN,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMV117EN,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.5A

当前型号

NXP  PMV117EN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: NTR4503NT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.5A 105mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTR4503NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 V

PMV117EN,215和NTR4503NT1G的区别

型号: IRLML2030TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 2.7A

功能相似

INFINEON  IRLML2030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

PMV117EN,215和IRLML2030TRPBF的区别

型号: MGSF1N03LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.1A 125mohms 140pF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V

PMV117EN,215和MGSF1N03LT1G的区别