PSMN020-100YS,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 N-Channel
耗散功率 106 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 43.0 A
上升时间 18.1 ns
输入电容Ciss 2210pF @50VVds
额定功率Max 106 W
下降时间 15 ns
耗散功率Max 106W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN020-100YS,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 100V 43A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN020-100YS,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT669 N-Channel 100V 43A | 当前型号 | LFPAK N-CH 100V 43A | 当前型号 | |
型号: HAT2174H-EL-E 品牌: 瑞萨电子 封装: LFPAK N-CH 100V 20A 2.28nF | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PSMN020-100YS,115和HAT2174H-EL-E的区别 |