PDTC143TU,115

NXP 恩智浦分立器件

NXP PDTC143TU,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-323

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PDTC143TU - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Newark:
# NXP PDTC143TU,115 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-323

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT323

PDTC143TU,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTC143TU,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PDTC143TU,115	NXP 恩智浦	NXP PDTC143TU,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-323	搜索库存

替代型号PDTC143TU,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PDTC143TU,115 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-323 NPN 0.2W	当前型号	NXP PDTC143TU,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-323	当前型号
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型号： DTC143ZET1G 品牌：安森美封装： SC-75 NPN 50V 100mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR DTC143ZET1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-416 新	PDTC143TU,115和DTC143ZET1G的区别
型号： DTC143EET1G 品牌：安森美封装： SC-75 NPN 50V 100mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR DTC143EET1G 晶体管双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SC-75 新	PDTC143TU,115和DTC143EET1G的区别