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PDTC143TT,215

PDTC143TT,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PDTC143TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

The is a NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with general-purpose switching and amplification, circuit drivers, inverter and interface circuit applications.

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Reduces component count
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-65 to 150°C Operating temperature range
PDTC143TT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTC143TT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTC143TT,215
型号 制造商 描述 购买
PDTC143TT,215 NXP 恩智浦 NXP  PDTC143TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23 搜索库存
替代型号PDTC143TT,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC143TT,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

当前型号

NXP  PDTC143TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

当前型号

型号: PDTC143TT,235

品牌: 安世

封装:

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