针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS9110Z,135 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS9110Z,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS9110Z,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-223 PNP 1400mW | 当前型号 | NXP PBSS9110Z,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE | 当前型号 | |
型号: PBSS9110Z 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 PNP 650mW | 功能相似 | NXP PBSS9110Z 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE | PBSS9110Z,135和PBSS9110Z的区别 |