PUMH11,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMH11,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PUMH11,115引脚图与封装图
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在线购买PUMH11,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMH11,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMH11,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMH11,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMH11,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN 300mW | 当前型号 | NXP PUMH11,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： PUMH11 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 200mW | 完全替代 | NXP PUMH11 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363 | PUMH11,115和PUMH11的区别 |
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| 型号： PUMH13,115 品牌： 安世 封装： 6-TSSOP | 功能相似 | PUMH13 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字 晶体管 - SOT-363 | PUMH11,115和PUMH13,115的区别 |