PDTA143ZT,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA143ZT,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTA143ZT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTA143ZT,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA143ZT,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA143ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTA143ZT,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA143ZT,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 0.25W | 当前型号 | NXP PDTA143ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTA143ZT,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 完全替代 | TO-236AB PNP 50V 100mA | PDTA143ZT,215和PDTA143ZT,235的区别 |
| 型号： MMUN2132LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2132LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | PDTA143ZT,215和MMUN2132LT1G的区别 |
| 型号： MMUN2133LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2133LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23 | PDTA143ZT,215和MMUN2133LT1G的区别 |