频率 175 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMP5501V,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 45V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMP5501V,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-563 PNP 300mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: PMP5501V 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | TRANSISTOR, DUAL, PNP, SOT-666; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage Vbrceo: 45V; Power Dissipation ... | PMP5501V,115和PMP5501V的区别 |