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PBSS4350Z,135

PBSS4350Z,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBSS4350Z,135  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE

The is a NPN low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

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Low collector-emitter saturation voltage
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High collector current capabilities of IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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Higher efficiency leading to less heat generation
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Reduced PCB area requirements compared to DPAK
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PNP complement is PBSS5350Z
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PB4350 Marking code
PBSS4350Z,135中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Signal Processing, Consumer Electronics, Power Management, Lighting, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBSS4350Z,135引脚图与封装图
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在线购买PBSS4350Z,135
型号 制造商 描述 购买
PBSS4350Z,135 NXP 恩智浦 NXP  PBSS4350Z,135  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号PBSS4350Z,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4350Z,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-261-4 NPN 2000mW

当前型号

NXP  PBSS4350Z,135  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE

当前型号

型号: PBSS4350Z

品牌: 安世

封装:

类似代替

Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SC-73

PBSS4350Z,135和PBSS4350Z的区别

型号: PBSS4350Z/T3

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 50V 3A

类似代替

Trans GP BJT NPN 50V 3A 4Pin3+Tab SC-73 T/R

PBSS4350Z,135和PBSS4350Z/T3的区别

型号: BZX84-B2V7

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

功能相似

NXP  BZX84-B2V7  单管二极管 齐纳, 2.7 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C

PBSS4350Z,135和BZX84-B2V7的区别