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PBSS5350X,115

PBSS5350X,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBSS5350X,115  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE

The is a 3A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capabilities are IC and ICM
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Higher efficiency leading to less heat generation
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Reduced printed-circuit board requirements
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NPN complement is PBSS4350X
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S46 Marking code
PBSS5350X,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 550 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @0.1A, 2V

额定功率Max 1.6 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Signal Processing, Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

PBSS5350X,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5350X,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS5350X,115 NXP 恩智浦 NXP  PBSS5350X,115  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号PBSS5350X,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS5350X,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-89 PNP 1600mW

当前型号

NXP  PBSS5350X,115  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE

当前型号

型号: PBSS5350X,146

品牌: 恩智浦

封装: TO-243AA PNP

完全替代

SOT-89 PNP 50V 3A

PBSS5350X,115和PBSS5350X,146的区别

型号: PBSS5350X,135

品牌: 恩智浦

封装: TO-243AA PNP 1.6W

类似代替

SOT-89 PNP 50V 3A

PBSS5350X,115和PBSS5350X,135的区别

型号: PBSS5350X,147

品牌: 恩智浦

封装: TO-243AA PNP 1600mW

类似代替

SOT-89 PNP 50V 3A

PBSS5350X,115和PBSS5350X,147的区别