频率 200 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 210 @1A, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.48 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS5240T,215 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS5240T,215 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -2 A, 450 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS5240T,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 480mW | 当前型号 | NXP PBSS5240T,215 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -2 A, 450 hFE | 当前型号 | |
型号: PBSS5320T,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 1.2W | 类似代替 | PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3 | PBSS5240T,215和PBSS5320T,215的区别 | |
型号: PBSS5240T 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 300mW | 功能相似 | NXP PBSS5240T 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 300 mW, 2 A, 450 hFE | PBSS5240T,215和PBSS5240T的区别 | |
型号: PBSS5320T 品牌: 安世 封装: SOT-23 | 功能相似 | 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia | PBSS5240T,215和PBSS5320T的区别 |