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PBSS4140T,215

PBSS4140T,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBSS4140T,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 300 mW, 1 A, 200 hFE

The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a plastic package. It is suitable for use with the general purpose switching and muting, battery driven equipment"s.

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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High current capabilities
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Improved device reliability due to reduced heat generation
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PNP complement is PBSS5140T
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ZT Marking code
PBSS4140T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Lighting, Portable Devices, Imaging, Video & Vision

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBSS4140T,215引脚图与封装图
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在线购买PBSS4140T,215
型号 制造商 描述 购买
PBSS4140T,215 NXP 恩智浦 NXP  PBSS4140T,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 300 mW, 1 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号PBSS4140T,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4140T,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB NPN 450mW

当前型号

NXP  PBSS4140T,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 300 mW, 1 A, 200 hFE

当前型号

型号: PBSS4140T,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN

完全替代

TO-236AB NPN 40V 1A

PBSS4140T,215和PBSS4140T,235的区别

型号: PMMT491A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB NPN 0.25W

类似代替

NXP  PMMT491A,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE

PBSS4140T,215和PMMT491A,215的区别

型号: PMMT491A,235

品牌: 恩智浦

封装: TO23-6AB NPN 250mW

类似代替

TO-236AB NPN 40V 1A

PBSS4140T,215和PMMT491A,235的区别