PUMZ2,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMZ2,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 180 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMZ2,115引脚图与封装图
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在线购买PUMZ2,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMZ2,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMZ2,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 180 mW, 150 mA, 250 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMZ2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMZ2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PUMZ2,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 180 mW, 150 mA, 250 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： PUMZ2 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 180mW | 类似代替 | NXP PUMZ2 双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 50 V, 180 mW, 150 mA, 250 hFE, SOT-363 | PUMZ2,115和PUMZ2的区别 |
| 型号： BZT52H-C5V6,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-123F | 功能相似 | NXP BZT52H-C5V6,115 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | PUMZ2,115和BZT52H-C5V6,115的区别 |
| 型号： PUMZ2,125 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP | 功能相似 | TSSOP NPN+PNP 50V 0.15A | PUMZ2,115和PUMZ2,125的区别 |