PMV40UN,215
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMV40UN,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
输入电容Ciss 445pF @30VVds
额定功率Max 1.9 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1.9W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMV40UN,215引脚图与封装图
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在线购买PMV40UN,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMV40UN,215 | NXP 恩智浦 | NXP PMV40UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV | 搜索库存 |
替代型号PMV40UN,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMV40UN,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 30V 4.9A | 当前型号 | NXP PMV40UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV | 当前型号 |
| 型号： PMV40UN 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PMV40UN N沟道MOSFET 30V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 W35 快速开关/DC/DC应用/极低的RDS | PMV40UN,215和PMV40UN的区别 |
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