PBSS3515MB
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS3515MB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.5A
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS3515MB引脚图与封装图
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在线购买PBSS3515MB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS3515MB | NXP 恩智浦 | NXP PBSS3515MB 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 250 mW, -500 mA, 90 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS3515MB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS3515MB 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT PNP | 当前型号 | NXP PBSS3515MB 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 250 mW, -500 mA, 90 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS3515E,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 功能相似 | NXP PBSS3515E,115 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFE | PBSS3515MB和PBSS3515E,115的区别 |