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PHE13009
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PHE13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 12 A, 40 hFE

The is a 400V high voltage, high speed planar passivated Silicon NPN Power Switching Transistor intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators and motor control systems.

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150°C Junction temperature
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High voltage capability
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Low thermal resistance
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Low conduction losses due to low on-state resistance
PHE13009中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

最小电流放大倍数hFE 6

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.8 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Lighting, 照明, 电源管理, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PHE13009引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PHE13009 NXP 恩智浦 NXP  PHE13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 12 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号PHE13009
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHE13009

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220AB NPN 700V 12A

当前型号

NXP  PHE13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 12 A, 40 hFE

当前型号

型号: PHE13009,127

品牌: We En Semiconductor

封装: TO-220AB NPN 80000mW

功能相似

PHE13009 系列 400 V 12 A 80 W NPN 硅 漫射式 功率 晶体管 - TO-220AB

PHE13009和PHE13009,127的区别