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PMV33UPE
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PMV33UPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -700 mV

The is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.

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Low threshold voltage
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Very fast switching
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2kV ESD protected
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-55 to 150°C Junction temperature range
PMV33UPE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 980 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMV33UPE引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMV33UPE NXP 恩智浦 NXP  PMV33UPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -700 mV 搜索库存
替代型号PMV33UPE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMV33UPE

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 P-Channel

当前型号

NXP  PMV33UPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -700 mV

当前型号

型号: TSM2312CX

品牌: 台湾半导体

封装: SOT-23 N-Channel 20V 5A

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