漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 495pF @25VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-457
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMN45EN,135 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMN45EN,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TSOP N-Channel 30V 5.2A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: PMN45EN,165 品牌: 恩智浦 封装: SOT-457 | 完全替代 | PMN45EN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | PMN45EN,135和PMN45EN,165的区别 | |
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型号: SI3456DDV-T1-GE3 品牌: 威世 封装: TSOP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V | PMN45EN,135和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |