PMBT5551
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NXP
恩智浦
分立器件
PMBT5551中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.3A
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMBT5551引脚图与封装图
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在线购买PMBT5551
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBT5551 | NXP 恩智浦 | NXP PMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 250 mW, 300 mA, 80 hFE | 搜索库存 |
替代型号PMBT5551
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBT5551 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN | 当前型号 | NXP PMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 250 mW, 300 mA, 80 hFE | 当前型号 |
| 型号： PMBT5550T/R 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 140V 0.3A Automotive 3Pin TO-236AB T/R | PMBT5551和PMBT5550T/R的区别 |
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