PBSS305PZ,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS305PZ,135中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @2A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 280
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Motor Drive & Control, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS305PZ,135引脚图与封装图
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在线购买PBSS305PZ,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS305PZ,135 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS305PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 700 mW, -4.5 A, 280 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS305PZ,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS305PZ,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 PNP 700mW | 当前型号 | NXP PBSS305PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 700 mW, -4.5 A, 280 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS305PZ 品牌： 安世 封装： SOT-223 | 功能相似 | 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia | PBSS305PZ,135和PBSS305PZ的区别 |