
针脚数 3
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 510 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.5A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.415 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMV48XP | NXP 恩智浦 | NXP PMV48XP 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMV48XP 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 P-Channel 20V 3.5A | 当前型号 | NXP PMV48XP 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 | |
型号: FDN302P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SuperSOT P-Channel -20V -2.4A 55mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V | PMV48XP和FDN302P的区别 | |
型号: SI2305CDS-T1-GE3 品牌: 威世 封装: SOT-23 P-Channel | 功能相似 | VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V | PMV48XP和SI2305CDS-T1-GE3的区别 | |
型号: SI2305DS-T1-E3 品牌: 威世 封装: SOT-23 P-Channel 8V 3.5A 52mΩ | 功能相似 | VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV | PMV48XP和SI2305DS-T1-E3的区别 |