PMN20EN,115

NXP(恩智浦) 分立器件

NXP PMN20EN,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.016Ω, 6.7A, TSOP-6

N-Channel 30V 6.7A Tj 545mW Ta Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP

e络盟:
NXP PMN20EN,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.016Ω, 6.7A, TSOP-6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R

PMN20EN,115中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.39 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 630pF @15VVds

额定功率Max 545 mW

下降时间 85 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 545mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMN20EN,115引脚图与封装图

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