针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
高度 0.85 mm
封装 SOT-416-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTA144EE,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA144EE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 80 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTA144EE,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-416 PNP 150mW | 当前型号 | NXP PDTA144EE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 80 hFE | 当前型号 | |
型号: PDTA144EE 品牌: 恩智浦 封装: SOT-523/SC-75 PNP | 类似代替 | PDTA144EE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记7 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 | PDTA144EE,115和PDTA144EE的区别 | |
型号: DTA144EET1G 品牌: 安森美 封装: SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA144EE,115和DTA144EET1G的区别 |