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PHC2300,118

PHC2300,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PHC2300,118  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

The is a 300V Complementary Enhancement Mode MOS Transistor, one N-channel and one P-channel FET designed for computing and high frequency applications due to fast switching characteristics.

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150°C Junction temperature

欧时:
### N/P 通道双 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors


e络盟:
NXP  PHC2300,118.  场效应管阵列, MOSFET, N与P沟道, 300V, 340mA, 8-SOIC


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 300V 0.34A/0.235A 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 300V 0.34A/0.235A 8-Pin SO T/R


Newark:
# NXP  PHC2300,118  Dual MOSFET, N and P Channel, 340 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC


PHC2300,118中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 340 mA

输入电容Ciss 102pF @50VVds

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, 消费电子产品, 工业, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Consumer Electronics, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PHC2300,118引脚图与封装图
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在线购买PHC2300,118
型号 制造商 描述 购买
PHC2300,118 NXP 恩智浦 NXP  PHC2300,118  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号PHC2300,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHC2300,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOIC N-Channel 300V 340mA

当前型号

NXP  PHC2300,118  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: PHC2300

品牌: 飞利浦

封装:

功能相似

Complementary enhancement mode MOS transistors

PHC2300,118和PHC2300的区别