锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
PDTA123JE,115

PDTA123JE,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  PDTA123JE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R


PDTA123JE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTA123JE,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PDTA123JE,115
型号 制造商 描述 购买
PDTA123JE,115 NXP 恩智浦 NXP  PDTA123JE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE 搜索库存
替代型号PDTA123JE,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PDTA123JE,115

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT-416 PNP 150mW

当前型号

NXP  PDTA123JE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE

当前型号

型号： MUN5135T1G

品牌： 安森美

封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

功能相似

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

PDTA123JE,115和MUN5135T1G的区别

型号： BCR158WH6327XTSA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL PNP 250mW

功能相似

BCR158 系列 PNP 50 V 100 mA 表面贴装 硅 数字 晶体管 - SOT-323

PDTA123JE,115和BCR158WH6327XTSA1的区别